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Transistor  ⊃   N-CH  ⊃  Leistungs MOSFET
Transistor
CHF 1.25Preiseinheit per Stk
Mengenrabatt:ab 10 Stk. Fr. 1.00
Artikel ID
1090
Lagerbestand
Mehr als 50Stk.
Hersteller
ON Semiconductor
Wert
FQP13N10

Bauform
TO220-3
Datenblatt
fqp13n10.pdf
BeschreibungMosfet FQP13N10

Ausführung: 1xN-Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.142ohm
Dauer-Drainstrom Id: 12.8A
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
Verlustleistung Pd: 65W
Spannung, Rds-Messung: 10V
Schwellenspannung Vgs: 4V
 
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