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Transistor
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Transistor J113 (BF246A)N-FET
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Artikel ID
181
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Hersteller
ON Semiconductor
Bauform
TO92
Datenblatt
onsemiJ113.pdf
➤ Beschreibung
Feldeffekttransistor J113 als Ersatz BF246A
Bitte Abweichungen beachten
!Wichtigster Unterschied -> Gate-Source-Drain ist im J113 vertauscht, der TO92 muss um 180° gedreht werden.
Ausführung: N-Kanal JFET
Vgs - Gate-Source-Durchschlagspannung: - 35 V
Abschaltungsspannung Gate-Source: - 3 V
Drain-Source-Strom bei Vgs=0: 2 mA
Rds On - Drain-Source-Widerstand: 100 Ohms
Pd - Verlustleistung: 360 mW
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