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Silizium N-CH MOSFET Dual Gate
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Artikel ID
1099
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Hersteller
China NoName
Wert
BF981
Datenblatt
BF981.pdf
➤ Beschreibung
Silizium N-Kanal-MOS-FET Dual Gate (Tetrode)
Verarmungstyp (depletion) mit integrierten Schutzdioden
Umax: 20 V
Imax: 20 mA
Ptot: 225 mW
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